Список совместимости/Оперативная память/DDR3: различия между версиями

Материал из Базы знаний сообщества разработчиков Эльбрус
Перейти к навигации Перейти к поиску
м (→‎Registered DDR3: Удаление возможной конкретизации «LV» для модулей Goodram.)
(→‎Registered DDR3: Переупорядочены столбцы)
 
(не показано 13 промежуточных версий этого же участника)
Строка 33: Строка 33:
  
 
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от [[ПНС |Программы начального старта]] — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков. Так, поддержка '''unbuffered'''-модулей была реализована только в ПНС для Эльбрус-1С+ и Эльбрус-4С, но не Эльбрус-8С. И наоборот, поддержка '''SO-DIMM''' была релизована только в ПНС для Эльбрус-8С.
 
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от [[ПНС |Программы начального старта]] — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков. Так, поддержка '''unbuffered'''-модулей была реализована только в ПНС для Эльбрус-1С+ и Эльбрус-4С, но не Эльбрус-8С. И наоборот, поддержка '''SO-DIMM''' была релизована только в ПНС для Эльбрус-8С.
 +
 +
== Количество модулей ==
 +
 +
Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:
 +
 +
{| class="wikitable"
 +
|-
 +
! scope="col" | Характеристика
 +
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 +
! scope="col" | Эльбрус-4С
 +
! scope="col" | Эльбрус-8С
 +
|-
 +
| Количество каналов доступа в память || 2    || 3      || 4{{row-sep}}
 +
| Количество заполненных каналов      || 2, 1 || 3, 2, 1 || 4, 2{{row-sep}}
 +
|}
 +
 +
На материнских платах количество слотов для модулей памяти может быть меньше или больше, чем каналов у процессора:
 +
 +
* Если слотов меньше, чем каналов (например, на компактных платах), то надо заполнить их все — это и так будет минимальное поддерживаемое количество.
 +
 +
* Если слотов столько же, то желательно заполнить их все — это позволит достигать максимальной производительности обмена с памятью. Установку меньшего количества модулей необходимо вести в порядке нумерации каналов: например, для Эльбрус-8С обязательно надо заполнить слоты DIMM_0 и DIMM_1.
 +
 +
* Если слотов больше, чем каналов, то есть на каждый канал приходится по 2 слота, например, то заполнить нужно в первую очередь первичные слоты по правилам из предыдущего пункта, а вторичные можно оставить пустыми.
 +
 +
{{HCL-RAM-SlotsNotice}}
  
 
== Registered DDR3 ==
 
== Registered DDR3 ==
Строка 40: Строка 65:
 
{| class="wikitable sortable"
 
{| class="wikitable sortable"
 
|-
 
|-
! scope="col" | Марка
+
{{HCL-BrandPart-head}}
! scope="col" | Артикул
 
! scope="col" | Объём, ГБ
 
! scope="col" | Тип
 
! scope="col" | Темп, МТ/с
 
! scope="col" | Буфер
 
! scope="col" | Защита
 
! scope="col" | Высота
 
! scope="col" | Формат
 
! scope="col" | Ранг
 
! scope="col" | Ширина
 
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 +
{{HCL-RAM-tail}}
 
|-
 
|-
| Apacer || 78.C1GEY.4010C || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Apacer     || 78.C1GEY.4010C       || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}}               || {{NA}}                 || 8 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| ATP || {{hint|AL24M72B8BLK0S|XL16B8E8GMPNP-DC}} || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || {{NA}} || DIMM || {{NA}} || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.19.2.0}} || {{yes |ПНС 2018-10-26}} <tr>
+
| ATP        || {{hint|AL24M72B8BLK0S|XL16B8E8GMPNP-DC}}
| Crucial || {{hint|CT8G3ERSDD8186D|Micron MT18JSF1G72PDZ-1G9E1KF}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
                                      | {{NA}}               || {{yes|ПНС 2.19.2.0}} || {{yes|ПНС 2018-10-26}} || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || {{NA}} ||DIMM || {{NA}} || x8{{row-sep}}
| Goodram || W-MEM{{minor |####}}R3{{minor |#}}4{{minor |##}}G{{minor |…}} || все || DDR3{{minor |L}} || все || Registered || ECC || FH || DIMM || все || x4<ref name="Goodram_x4">Вопреки обозначению „x8“ на сайте производителя, модели с цифрой „4” после буквы «S»/«D»/«Q» имеют ширину шины чипов 4 бита и потому не подходят.</ref> || {{no}} || {{no}} || {{no}} <tr>
+
| Crucial    || {{hint|CT4G3ERSLS8160B{{minor|.9FED}}|Micron MT9KSF51272PZ-1G6E2HE}}
| Goodram || W-MEM{{minor |####}}R3{{minor |#}}8{{minor |##}}G{{minor |…}} || все || DDR3{{minor |L}} || все || Registered || ECC || FH || DIMM || все || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
                                      | {{NA}}               || {{NA}}              || {{yes}}                 || 4 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
| Hynix || HMT151R7BFR8C-G7 {{minor |DB AB-C}} || 4 || DDR3 || 1066 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}} <tr>
+
| Crucial    || {{hint|CT8G3ERSDD8186D{{minor|.18FED}}|Micron MT18JSF1G72PDZ-1G9E1KF}}
| Innodisk || ACT8GHR72P8J1600S-LV || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
                                      | {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                 || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Kingston || KTD-PE313Q8LV/16G || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} <tr>
+
| Goodram    || W-MEM{{minor|####}}R3{{minor|#}}4{{minor|##}}G{{minor|…}} || {{no}} || {{no}} || {{no}} || все || DDR3{{minor |L}} || все || Registered || ECC || FH || DIMM || все || x4<ref name="Goodram_x4">Вопреки обозначению „x8“ на сайте производителя, модели марки Goodram с цифрой „4” после буквы «S»/«D»/«Q» имеют ширину шины чипов 4 бита и потому не подходят.</ref>{{row-sep}}
| Kingston || KVR1333D3Q8R9S/8G || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}} <tr>
+
| Goodram    || W-MEM{{minor|####}}R3{{minor|#}}8{{minor|##}}G{{minor|…}} || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} || все || DDR3{{minor |L}} || все || Registered || ECC || FH || DIMM || все || x8{{row-sep}}
| Kingston || KVR13LR9Q8/16 || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}} <tr>
+
| Hynix      || HMT151R7BFR8C-G7 {{minor |DB AB-C}}
| Kingston || KVR16LR11D8/8 || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{NA}} <tr>
+
                                      | {{NA}}               || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}}                  ||  4 || DDR3 || 1066 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
| Kingston || KVR16R11D8/8 || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}} <tr>
+
| Hynix      || HMT41GR7AFR8A-PB {{minor |TD AB}}
| Kingston || KVR16R11S8/4 || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}} <tr>
+
                                      | {{yes}}             || {{NA}}               || {{NA}}                  || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| MemxPro || D3M-8G16S518WA || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || {{NA}} || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}} <tr>
+
| Innodisk  || ACT8GHR72P8J1600S-LV || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}}               || {{NA}}                  || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Micron || MT18JSF1G72PDZ-1G9{{minor |E1KF}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston  || KTD-PE313Q8LV/16G    || {{NA}}               || {{yes}}              || {{NA}}                 || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
| Micron || MT18JSF51272PDZ-1G6{{minor |K1HE}} || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}} <tr>
+
| Kingston  || KVR1333D3Q8R9S/8G    || {{NA}}              || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}}                 || 8 || DDR3  || 1333 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
| Micron || MT18KSF1G72PDZ-1G6{{minor |…}} || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston  || KVR13LR9Q8/16        || {{NA}}               || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}}                 || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
| Samsung || M393B1G73QH0{{minor |-CMA}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston  || KVR16LR11D8/4        || {{yes}}             || {{NA}}              || {{NA}}                 || 4 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V1N || 8 || DDR3 || 1066 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston  || KVR16LR11D8/8        || {{NA}}               || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{NA}}                 || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V3HL || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston  || KVR16R11D8/8        || {{NA}}              || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}}                 || 8 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V3N || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston  || KVR16R11S8/4        || {{NA}}               || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}}                 || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V6H || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston  || KVR18R13D8/8        || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                 ||  8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V6HL || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| MemxPro    || D3M-8G16S518WA      || {{yes}}             || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}}                || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || {{NA}}|| DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS2GKR72V3H || 16 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Micron    || MT18JSF1G72PDZ-1G9  || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                 ||  8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V3N || 4 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Micron    || MT18JSF51272PDZ-1G6  || {{NA}}               || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}}                 ||  4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6H || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Micron    || MT18KSF1G72PDZ-1G6  || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                 || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6HL || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Micron    || MT9KSF51272PZ-1G6    || {{NA}}               || {{NA}}               || {{yes}}                 ||  4 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6N || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Samsung    || M393B1G73QH0-CMA    || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                 ||  8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6NL || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Samsung    || M393B1G73QH1-V072    || {{yes}}              || {{NA}}               || {{NA}}                 ||  8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR03-4GL || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend  || TS1GKR72V1N          || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                  || 8 || DDR3 || 1066 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR03-8GL || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend  || TS1GKR72V3HL        || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                  ||  8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || LP ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR05-16G || 16 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{yes |ПНС 2020-03-15}} <tr>
+
| Transcend  || TS1GKR72V3N          || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                  || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR08-4G  || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend  || TS1GKR72V6H          || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                  || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS1GKR72V6HL        || {{NA}}               || {{NA}}               || {{NA}}                  || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS2GKR72V3H          || {{NA}}               || {{NA}}               || {{yes}}                || 16 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS256MKR72V3N        || {{partial|нет?}}     || {{NA}}               || {{NA}}                  ||  2 || DDR3  || 1333 || Registered || ECC || FH ||   DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS512MKR72V3N        || {{NA}}              || {{NA}}              || {{NA}}                  ||  4 || DDR3  || 1333 || Registered || ECC || FH ||    DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS512MKR72V6H        || {{NA}}              || {{NA}}              || {{NA}}                  ||  4 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || FH ||    DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS512MKR72V6HL      || {{NA}}              || {{NA}}              || {{NA}}                  ||  4 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || LP ||    DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS512MKR72V6N        || {{yes}}              || {{NA}}              || {{yes}}                ||  4 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || FH ||    DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS512MKR72V6NL      || {{NA}}              || {{NA}}              || {{NA}}                  ||  4 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || LP ||    DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TSMTD3LR03-4GL      || {{yes}}              || {{NA}}              || {{yes}}                ||  4 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || LP ||    DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TSMTD3LR03-8GL      || {{yes}}              || {{NA}}              || {{yes}}                ||  8 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || LP ||    DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TSMTD3LR05-16G      || {{NA}}              || {{NA}}              || {{yes|ПНС 2020-03-15}}  || 16 || DDR3  || 1333 || Registered || ECC || FH ||    DIMM || 4R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TSMTD3LR08-4G        || {{yes}}              || {{NA}}              || {{yes}}                ||  4 || DDR3  || 1600 || Registered || ECC || FH ||    DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
 
|}
 
|}
  
Строка 94: Строка 122:
 
== Unbuffered DDR3 ==
 
== Unbuffered DDR3 ==
  
Данный тип модулей тестировался только на компьютерах с процессором Эльбрус-4С.
+
Данный тип модулей тестировался только на компьютерах с процессором Эльбрус-4С. Поддержка данного типа модулей не реализована в программе начального старта для процессоров Эльбрус-8С ввиду отсутствия спроса.
  
 
{| class="wikitable sortable"
 
{| class="wikitable sortable"
 
|-
 
|-
! scope="col" | Марка
+
{{HCL-BrandPart-head}}
! scope="col" | Артикул
 
! scope="col" | Объём, ГБ
 
! scope="col" | Тип
 
! scope="col" | Темп, МТ/с
 
! scope="col" | Буфер
 
! scope="col" | Защита
 
! scope="col" | Высота
 
! scope="col" | Формат
 
! scope="col" | Ранг
 
! scope="col" | Ширина
 
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 +
{{HCL-RAM-tail}}
 
|-
 
|-
| Crucial || {{hint|CT51272BD160BJ|Micron MT9KSF51272AZ-1G6P1ZF}} || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Crucial   || {{hint|CT51272BD160BJ{{minor|.9FP}}|Micron MT9KSF51272AZ-1G6}}
| Kingston || KVR16E11/8 || 8 || DDR3 || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{NA}} <tr>
+
                                      | {{NA}}              || {{NA}}              || {{no}}               || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH ||   DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
| Micron || MT9KSF51272AZ-1G6{{minor |P1ZF}} || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Hynix      || HMT41GU7AFR8A-PB {{minor |T0 AD}}
| Transcend || TS1GLK64V6H || 8 || DDR3 || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
                                      | {{NA}}               || {{NA}}               || {{no}}              || 8 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH ||   DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Kingston  || KVR16E11/8          || {{NA}}               || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{no}}              ||  8 || DDR3  || 1600 || Unbuffered || ECC || FH ||    DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Micron     || MT9KSF51272AZ-1G6   || {{NA}}              || {{NA}}              || {{no}}               || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH ||   DIMM || 1R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS1GLK64V6H          || {{no}}               || {{no}}               || {{no}}               || 8 || DDR3 || 1600 || Unbuffered || {{no}} || FH || DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 +
| Transcend  || TS1GLK72V6H          || {{NA}}               || {{NA}}               || {{no}}              ||  8 || DDR3  || 1600 || Unbuffered || ECC || FH ||    DIMM || 2R || x8{{row-sep}}
 
|}
 
|}
  

Текущая версия на 10:38, 3 июля 2023

Короткий адрес этой страницы: HCL/RAM/DDR3
Любые сведения о совместимости аппаратного и/или программного обеспечения не являются официальными заявлениями, если не сопровождаются ссылкой на официально утверждённый протокол тестирования. Аппаратное или программное обеспечение, упоминаемое без сведений о совместимости с каким-либо конкретным типом компьютера (процессора, контроллера периферии), следует считать лишь потенциально совместимым.

Область применимости

Все перечисленные процессоры имеют однотипный контроллер памяти и, соответственно, схожие аппаратные возможности. Однако инициализацию контроллера для его сопряжения с установленными модулями памяти выполняет Программа начального старта, реализация которой различается для разных процессоров — подробнее см. ниже.

Общие требования

При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти:

  • ширина шины данных одной микросхемы — 8, 16 бит (обозначение: x8, x16);
  • ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
  • буферизация — регистровая (registered, RDIMM, DDR3R) или без буферизации (unbuffered, UDIMM);
  • количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
  • напряжение — обычное (1,5 В), пониженное (1,35 В — low-voltage, DDR3L, PC3L);
  • форм-фактор — DIMM, SO-DIMM;
  • все модули в компьютере должны быть идентичными.

Из этого следует, что не поддерживаются модули:

  • с шириной шины данных микросхем 4 бита — чипы x4 не поддерживаются;
  • без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
  • с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются;
  • с ультра-низким напряжением (1,25 В — ultra low voltage) — модули DDR3U (PC3U) не поддерживаются;
  • разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).

Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером, — 1600 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать — на фактической частоте контроллера памяти.

Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от Программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков. Так, поддержка unbuffered-модулей была реализована только в ПНС для Эльбрус-1С+ и Эльбрус-4С, но не Эльбрус-8С. И наоборот, поддержка SO-DIMM была релизована только в ПНС для Эльбрус-8С.

Количество модулей

Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:

Характеристика Эльбрус-1С+ Эльбрус-4С Эльбрус-8С
Количество каналов доступа в память 2 3 4
Количество заполненных каналов 2, 1 3, 2, 1 4, 2

На материнских платах количество слотов для модулей памяти может быть меньше или больше, чем каналов у процессора:

  • Если слотов меньше, чем каналов (например, на компактных платах), то надо заполнить их все — это и так будет минимальное поддерживаемое количество.
  • Если слотов столько же, то желательно заполнить их все — это позволит достигать максимальной производительности обмена с памятью. Установку меньшего количества модулей необходимо вести в порядке нумерации каналов: например, для Эльбрус-8С обязательно надо заполнить слоты DIMM_0 и DIMM_1.
  • Если слотов больше, чем каналов, то есть на каждый канал приходится по 2 слота, например, то заполнить нужно в первую очередь первичные слоты по правилам из предыдущего пункта, а вторичные можно оставить пустыми.

Все установленные модули должны быть идентичными по характеристикам — во всех заполненных слотах всех каналов всех процессоров. Если имеются вторичные слоты (на каждый канал приходится по 2 слота), то они либо должны остаться пустыми, либо быть заполненными точно так же, как первичные. Если имеется несколько процессоров, то набор модулей памяти у всех них должен быть одинаковым.

На разных моделях материнских плат слоты одних и тех же каналов могут быть расположены по-разному относительно микросхемы процессора. На многопроцессорных платах каждая процессорная микросхема может быть ориентирована по-своему, и расположение слотов соответственно тоже своё. Поэтому установку модулей памяти в случае частичного заполнения слотов необходимо вести в строгом соответствии с обозначениями слотов. Надписи на самой материнской плате могут быть расположены не вплотную к слотам памяти, а там где есть свободное место для достаточно крупного текста: ищите надписи вида «DIMM_0, DIMM_1, …», «MC0, MC1, …», «CPU0: CH0 SLOT0, CH0 SLOT1…» и т. п. Кроме того, обозначение слотов можно выяснить в документации.

Registered DDR3

Данный тип модулей наиболее широко поддерживается компьютерами Эльбрус.

Марка Артикул Эльбрус-1С+ Эльбрус-4С Эльбрус-8С ГБ Тип МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина
Apacer 78.C1GEY.4010C ПНС 2.23.1.0 н/д н/д 8 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
ATP AL24M72B8BLK0S н/д ПНС 2.19.2.0 ПНС 2018-10-26 8 DDR3L 1600 Registered ECC н/д DIMM н/д x8
Crucial CT4G3ERSLS8160B.9FED н/д н/д да 4 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Crucial CT8G3ERSDD8186D.18FED н/д н/д н/д 8 DDR3 1866 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Goodram W-MEM####R3#4##G нет нет нет все DDR3L все Registered ECC FH DIMM все x4[1]
Goodram W-MEM####R3#8##G н/д н/д н/д все DDR3L все Registered ECC FH DIMM все x8
Hynix HMT151R7BFR8C-G7 DB AB-C н/д ПНС 2.15.1.3 н/д 4 DDR3 1066 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Hynix HMT41GR7AFR8A-PB TD AB да н/д н/д 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Innodisk ACT8GHR72P8J1600S-LV ПНС 2.23.1.0 н/д н/д 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KTD-PE313Q8LV/16G н/д да н/д 16 DDR3L 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Kingston KVR1333D3Q8R9S/8G н/д ПНС 2.15.1.3 н/д 8 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Kingston KVR13LR9Q8/16 н/д ПНС 2.15.1.3 да 16 DDR3L 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Kingston KVR16LR11D8/4 да н/д н/д 4 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KVR16LR11D8/8 н/д ПНС 2.14.1.7 н/д 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KVR16R11D8/8 н/д ПНС 2.14.1.7 да 8 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KVR16R11S8/4 н/д ПНС 2.15.1.3 н/д 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Kingston KVR18R13D8/8 н/д н/д н/д 8 DDR3 1866 Registered ECC FH DIMM 2R x8
MemxPro D3M-8G16S518WA да ПНС 2.15.1.3 да 8 DDR3 1600 Registered ECC н/д DIMM 2R x8
Micron MT18JSF1G72PDZ-1G9 н/д н/д н/д 8 DDR3 1866 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Micron MT18JSF51272PDZ-1G6 н/д ПНС 2.14.1.7 да 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Micron MT18KSF1G72PDZ-1G6 н/д н/д н/д 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Micron MT9KSF51272PZ-1G6 н/д н/д да 4 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Samsung M393B1G73QH0-CMA н/д н/д н/д 8 DDR3 1866 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Samsung M393B1G73QH1-V072 да н/д н/д 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Transcend TS1GKR72V1N н/д н/д н/д 8 DDR3 1066 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Transcend TS1GKR72V3HL н/д н/д н/д 8 DDR3 1333 Registered ECC LP DIMM 2R x8
Transcend TS1GKR72V3N н/д н/д н/д 8 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Transcend TS1GKR72V6H н/д н/д н/д 8 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Transcend TS1GKR72V6HL н/д н/д н/д 8 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 2R x8
Transcend TS2GKR72V3H н/д н/д да 16 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Transcend TS256MKR72V3N нет? н/д н/д 2 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Transcend TS512MKR72V3N н/д н/д н/д 4 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Transcend TS512MKR72V6H н/д н/д н/д 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Transcend TS512MKR72V6HL н/д н/д н/д 4 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 1R x8
Transcend TS512MKR72V6N да н/д да 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Transcend TS512MKR72V6NL н/д н/д н/д 4 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 2R x8
Transcend TSMTD3LR03-4GL да н/д да 4 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 1R x8
Transcend TSMTD3LR03-8GL да н/д да 8 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 2R x8
Transcend TSMTD3LR05-16G н/д н/д ПНС 2020-03-15 16 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8
Transcend TSMTD3LR08-4G да н/д да 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8
  1. Вопреки обозначению „x8“ на сайте производителя, модели марки Goodram с цифрой „4” после буквы «S»/«D»/«Q» имеют ширину шины чипов 4 бита и потому не подходят.

Unbuffered DDR3

Данный тип модулей тестировался только на компьютерах с процессором Эльбрус-4С. Поддержка данного типа модулей не реализована в программе начального старта для процессоров Эльбрус-8С ввиду отсутствия спроса.

Марка Артикул Эльбрус-1С+ Эльбрус-4С Эльбрус-8С ГБ Тип МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина
Crucial CT51272BD160BJ.9FP н/д н/д нет 4 DDR3L 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 1R x8
Hynix HMT41GU7AFR8A-PB T0 AD н/д н/д нет 8 DDR3L 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KVR16E11/8 н/д ПНС 2.14.1.7 нет 8 DDR3 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8
Micron MT9KSF51272AZ-1G6 н/д н/д нет 4 DDR3L 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 1R x8
Transcend TS1GLK64V6H нет нет нет 8 DDR3 1600 Unbuffered нет FH DIMM 2R x8
Transcend TS1GLK72V6H н/д н/д нет 8 DDR3 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8

Источники

  • Внутренний баг МЦСТ № 122084
  • Внутренняя вики МЦСТ, статья «Поддерживаемое оборудование»
  • Статья «Эльбрус/hcl/память» в базе знаний AltLinux Team
  • Руководства по эксплуатации компьютеров Эльбрус