Список совместимости/Оперативная память/DDR3: различия между версиями

Материал из Базы знаний сообщества разработчиков Эльбрус
Перейти к навигации Перейти к поиску
м (Добавление shortcut)
(→‎Registered DDR3: Добавлена модель Xiepeng (Samsung) согласно информации от пользователя Сергей Куфаев)
(не показано 8 промежуточных версий этого же участника)
Строка 33: Строка 33:
  
 
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от [[ПНС |Программы начального старта]] — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков. Так, поддержка '''unbuffered'''-модулей была реализована только в ПНС для Эльбрус-1С+ и Эльбрус-4С, но не Эльбрус-8С. И наоборот, поддержка '''SO-DIMM''' была релизована только в ПНС для Эльбрус-8С.
 
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от [[ПНС |Программы начального старта]] — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков. Так, поддержка '''unbuffered'''-модулей была реализована только в ПНС для Эльбрус-1С+ и Эльбрус-4С, но не Эльбрус-8С. И наоборот, поддержка '''SO-DIMM''' была релизована только в ПНС для Эльбрус-8С.
 +
 +
== Количество модулей ==
 +
 +
Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:
 +
 +
{| class="wikitable"
 +
|-
 +
! scope="col" | Характеристика
 +
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 +
! scope="col" | Эльбрус-4С
 +
! scope="col" | Эльбрус-8С
 +
|-
 +
| Количество каналов доступа в память || 2    || 3      || 4{{row-sep}}
 +
| Количество заполненных каналов      || 2, 1 || 3, 2, 1 || 4, 2{{row-sep}}
 +
|}
 +
 +
На материнских платах количество слотов для модулей памяти может быть меньше или больше, чем каналов у процессора:
 +
 +
* Если слотов меньше, чем каналов (например, на компактных платах), то надо заполнить их все — это и так будет минимальное поддерживаемое количество.
 +
 +
* Если слотов столько же, то желательно заполнить их все — это позволит достигать максимальной производительности обмена с памятью. Установку меньшего количества модулей необходимо вести в порядке нумерации каналов: например, для Эльбрус-8С обязательно надо заполнить слоты DIMM_0 и DIMM_1.
 +
 +
* Если слотов больше, чем каналов, то есть на каждый канал приходится по 2 слота, например, то заполнить нужно в первую очередь первичные слоты по правилам из предыдущего пункта, а вторичные можно оставить пустыми.
 +
 +
{{HCL-RAM-SlotsNotice}}
  
 
== Registered DDR3 ==
 
== Registered DDR3 ==
Строка 40: Строка 65:
 
{| class="wikitable sortable"
 
{| class="wikitable sortable"
 
|-
 
|-
! scope="col" | Марка
+
{{HCL-RAM-head}}
! scope="col" | Артикул
 
! scope="col" | Объём, ГБ
 
! scope="col" | Тип
 
! scope="col" | Темп, МТ/с
 
! scope="col" | Буфер
 
! scope="col" | Защита
 
! scope="col" | Высота
 
! scope="col" | Формат
 
! scope="col" | Ранг
 
! scope="col" | Ширина
 
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 
|-
 
|-
| Apacer || 78.C1GEY.4010C || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Apacer || 78.C1GEY.4010C || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| ATP || <span title="XL16B8E8GMPNP-DC">AL24M72B8BLK0S</span> || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || {{NA}} || DIMM || {{NA}} || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.19.2.0}} || {{yes |ПНС 2018-10-26}} <tr>
+
| ATP || {{hint|AL24M72B8BLK0S|XL16B8E8GMPNP-DC}} || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || {{NA}} || DIMM || {{NA}} || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.19.2.0}} || {{yes |ПНС 2018-10-26}}{{row-sep}}
| Crucial || <span title="Micron MT18JSF1G72PDZ-1G9E1KF">CT8G3ERSDD8186D</span> || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Crucial || {{hint|CT8G3ERSDD8186D|Micron MT18JSF1G72PDZ-1G9E1KF}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Hynix || HMT151R7BFR8C-G7 {{minor |DB AB-C}} || 4 || DDR3 || 1066 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}} <tr>
+
| Goodram || W-MEM{{minor|####}}R3{{minor|#}}4{{minor|##}}G{{minor|…}} || все || DDR3{{minor |L}} || все || Registered || ECC || FH || DIMM || все || x4<ref name="Goodram_x4">Вопреки обозначению „x8“ на сайте производителя, модели марки Goodram с цифрой „4” после буквы «S»/«D»/«Q» имеют ширину шины чипов 4 бита и потому не подходят.</ref> || {{no}} || {{no}} || {{no}}{{row-sep}}
| Innodisk || ACT8GHR72P8J1600S-LV || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Goodram || W-MEM{{minor|####}}R3{{minor|#}}8{{minor|##}}G{{minor|…}} || все || DDR3{{minor |L}} || все || Registered || ECC || FH || DIMM || все || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KTD-PE313Q8LV/16G || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} <tr>
+
| Hynix || HMT151R7BFR8C-G7 {{minor |DB AB-C}} || 4 || DDR3  || 1066 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KVR1333D3Q8R9S/8G || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}} <tr>
+
| Hynix || HMT41GR7AFR8A-PB {{minor |TD AB}}  || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KVR13LR9Q8/16 || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}} <tr>
+
| Innodisk || ACT8GHR72P8J1600S-LV || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes|ПНС 2.23.1.0}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KVR16LR11D8/8 || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston || KTD-PE313Q8LV/16G || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KVR16R11D8/8 || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}} <tr>
+
| Kingston || KVR1333D3Q8R9S/8G || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KVR16R11S8/4 || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston || KVR13LR9Q8/16    || 16 || DDR3L || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}}{{row-sep}}
| MemxPro || D3M-8G16S518WA || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || {{NA}} || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}} <tr>
+
| Kingston || KVR16LR11D8/8    || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Micron || MT18JSF1G72PDZ-1G9{{minor |E1KF}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston || KVR16R11D8/8      || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}}{{row-sep}}
| Micron || MT18JSF51272PDZ-1G6{{minor |K1HE}} || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}} <tr>
+
| Kingston || KVR16R11S8/4      ||  4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.15.1.3}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Micron || MT18KSF1G72PDZ-1G6{{minor |…}} || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| MemxPro || D3M-8G16S518WA || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || {{NA}} || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{yes |ПНС 2.15.1.3}} || {{yes}}{{row-sep}}
| Samsung || M393B1G73QH0{{minor |-CMA}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Micron || MT18JSF1G72PDZ-1G9{{minor |E1KF}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V1N  || 8 || DDR3 || 1066 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Micron || MT18JSF51272PDZ-1G6{{minor |K1HE}} || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{yes}}{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V3HL || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Micron || MT18KSF1G72PDZ-1G6{{minor |…}}    || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V3N || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Samsung || M393B1G73QH0{{minor |-CMA}} || 8 || DDR3 || 1866 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V6H  || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Samsung || M393B1G73QH1{{minor |-V072}} || 8 || DDR3L || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS1GKR72V6HL || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Transcend || TS1GKR72V1N    || 8 || DDR3 || 1066 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS2GKR72V3H  || 16 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend || TS1GKR72V3HL  || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V3N  || 4 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Transcend || TS1GKR72V3N    || 8 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6H  || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Transcend || TS1GKR72V6H    || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6HL || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Transcend || TS1GKR72V6HL  || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6N  || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend || TS2GKR72V3H    || 16 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{yes}}{{row-sep}}
| Transcend || TS512MKR72V6NL || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Transcend || TS512MKR72V3N  || 4 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR03-4GL || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend || TS512MKR72V6H  || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR03-8GL || 8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend || TS512MKR72V6HL || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR05-16G || 16 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{yes |ПНС 2020-03-15}} <tr>
+
| Transcend || TS512MKR72V6N  ||  4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}}{{row-sep}}
| Transcend || TSMTD3LR08-4G  || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}} <tr>
+
| Transcend || TS512MKR72V6NL ||  4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TSMTD3LR03-4GL ||  4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TSMTD3LR03-8GL ||  8 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TSMTD3LR05-16G || 16 || DDR3 || 1333 || Registered || ECC || FH || DIMM || 4R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{yes|ПНС 2020-03-15}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TSMTD3LR08-4G  || 4 || DDR3 || 1600 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{yes}}{{row-sep}}
 
|}
 
|}
 +
 +
<references/>
  
 
== Unbuffered DDR3 ==
 
== Unbuffered DDR3 ==
Строка 94: Строка 115:
 
{| class="wikitable sortable"
 
{| class="wikitable sortable"
 
|-
 
|-
! scope="col" | Марка
+
{{HCL-RAM-head}}
! scope="col" | Артикул
 
! scope="col" | Объём, ГБ
 
! scope="col" | Тип
 
! scope="col" | Темп, МТ/с
 
! scope="col" | Буфер
 
! scope="col" | Защита
 
! scope="col" | Высота
 
! scope="col" | Формат
 
! scope="col" | Ранг
 
! scope="col" | Ширина
 
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-1С+
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-4С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 
! scope="col" | Эльбрус-8С
 
|-
 
|-
| Crucial || <span title="Micron MT9KSF51272AZ-1G6P1ZF">CT51272BD160BJ</span> || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Crucial || {{hint|CT51272BD160BJ|Micron MT9KSF51272AZ-1G6P1ZF}} || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KVR16E11/8 || 8 || DDR3 || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes |ПНС 2.14.1.7}} || {{NA}} <tr>
+
| Kingston || KVR16E11/8 || 8 || DDR3 || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{yes|ПНС 2.14.1.7}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Micron || MT9KSF51272AZ-1G6{{minor |P1ZF}} || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Micron || MT9KSF51272AZ-1G6{{minor |P1ZF}} || 4 || DDR3L || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS1GLK64V6H || 8 || DDR3 || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}} <tr>
+
| Transcend || TS1GLK64V6H || 8 || DDR3 || 1600 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{NA}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
|}
 
|}
  

Версия 14:07, 23 июля 2021

Короткий адрес этой страницы: HCL/RAM/DDR3
Любые сведения о совместимости аппаратного и/или программного обеспечения не являются официальными заявлениями, если не сопровождаются ссылкой на официально утверждённый протокол тестирования. Аппаратное или программное обеспечение, упоминаемое без сведений о совместимости с каким-либо конкретным типом компьютера (процессора, контроллера периферии), следует считать лишь потенциально совместимым.

Область применимости

Все перечисленные процессоры имеют однотипный контроллер памяти и, соответственно, схожие аппаратные возможности. Однако инициализацию контроллера для его сопряжения с установленными модулями памяти выполняет Программа начального старта, реализация которой различается для разных процессоров — подробнее см. ниже.

Общие требования

При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти:

  • ширина шины данных одной микросхемы — 8, 16 бит (обозначение: x8, x16);
  • ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
  • буферизация — регистровая (registered, RDIMM, DDR3R) или без буферизации (unbuffered, UDIMM);
  • количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
  • напряжение — обычное (1,5 В), пониженное (1,35 В — low-voltage, DDR3L, PC3L);
  • форм-фактор — DIMM, SO-DIMM;
  • все модули в компьютере должны быть идентичными.

Из этого следует, что не поддерживаются модули:

  • с шириной шины данных микросхем 4 бита — чипы x4 не поддерживаются;
  • без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
  • с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются;
  • с ультра-низким напряжением (1,25 В — ultra low voltage) — модули DDR3U (PC3U) не поддерживаются;
  • разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).

Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером, — 1600 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать — на фактической частоте контроллера памяти.

Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от Программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков. Так, поддержка unbuffered-модулей была реализована только в ПНС для Эльбрус-1С+ и Эльбрус-4С, но не Эльбрус-8С. И наоборот, поддержка SO-DIMM была релизована только в ПНС для Эльбрус-8С.

Количество модулей

Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:

Характеристика Эльбрус-1С+ Эльбрус-4С Эльбрус-8С
Количество каналов доступа в память 2 3 4
Количество заполненных каналов 2, 1 3, 2, 1 4, 2

На материнских платах количество слотов для модулей памяти может быть меньше или больше, чем каналов у процессора:

  • Если слотов меньше, чем каналов (например, на компактных платах), то надо заполнить их все — это и так будет минимальное поддерживаемое количество.
  • Если слотов столько же, то желательно заполнить их все — это позволит достигать максимальной производительности обмена с памятью. Установку меньшего количества модулей необходимо вести в порядке нумерации каналов: например, для Эльбрус-8С обязательно надо заполнить слоты DIMM_0 и DIMM_1.
  • Если слотов больше, чем каналов, то есть на каждый канал приходится по 2 слота, например, то заполнить нужно в первую очередь первичные слоты по правилам из предыдущего пункта, а вторичные можно оставить пустыми.

Все установленные модули должны быть идентичными по характеристикам — во всех заполненных слотах всех каналов всех процессоров. Если имеются вторичные слоты (на каждый канал приходится по 2 слота), то они либо должны остаться пустыми, либо быть заполненными точно так же, как первичные. Если имеется несколько процессоров, то набор модулей памяти у всех них должен быть одинаковым.

На разных моделях материнских плат слоты одних и тех же каналов могут быть расположены по-разному относительно микросхемы процессора. На многопроцессорных платах каждая процессорная микросхема может быть ориентирована по-своему, и расположение слотов соответственно тоже своё. Поэтому установку модулей памяти в случае частичного заполнения слотов необходимо вести в строгом соответствии с обозначениями слотов. Надписи на самой материнской плате могут быть расположены не вплотную к слотам памяти, а там где есть свободное место для достаточно крупного текста: ищите надписи вида «DIMM_0, DIMM_1, …», «MC0, MC1, …», «CPU0: CH0 SLOT0, CH0 SLOT1…» и т. п. Кроме того, обозначение слотов можно выяснить в документации.

Registered DDR3

Данный тип модулей наиболее широко поддерживается компьютерами Эльбрус.

Марка Артикул Объём, ГБ Тип Темп, МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина Эльбрус-1С+ Эльбрус-4С Эльбрус-8С
Apacer 78.C1GEY.4010C 8 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 ПНС 2.23.1.0 н/д н/д
ATP AL24M72B8BLK0S 8 DDR3L 1600 Registered ECC н/д DIMM н/д x8 н/д ПНС 2.19.2.0 ПНС 2018-10-26
Crucial CT8G3ERSDD8186D 8 DDR3 1866 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Goodram W-MEM####R3#4##G все DDR3L все Registered ECC FH DIMM все x4[1] нет нет нет
Goodram W-MEM####R3#8##G все DDR3L все Registered ECC FH DIMM все x8 н/д н/д н/д
Hynix HMT151R7BFR8C-G7 DB AB-C 4 DDR3 1066 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д ПНС 2.15.1.3 н/д
Hynix HMT41GR7AFR8A-PB TD AB 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Innodisk ACT8GHR72P8J1600S-LV 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 ПНС 2.23.1.0 н/д н/д
Kingston KTD-PE313Q8LV/16G 16 DDR3L 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д да н/д
Kingston KVR1333D3Q8R9S/8G 8 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д ПНС 2.15.1.3 н/д
Kingston KVR13LR9Q8/16 16 DDR3L 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д ПНС 2.15.1.3 да
Kingston KVR16LR11D8/8 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д ПНС 2.14.1.7 н/д
Kingston KVR16R11D8/8 8 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д ПНС 2.14.1.7 да
Kingston KVR16R11S8/4 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8 н/д ПНС 2.15.1.3 н/д
MemxPro D3M-8G16S518WA 8 DDR3 1600 Registered ECC н/д DIMM 2R x8 да ПНС 2.15.1.3 да
Micron MT18JSF1G72PDZ-1G9E1KF 8 DDR3 1866 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Micron MT18JSF51272PDZ-1G6K1HE 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д ПНС 2.14.1.7 да
Micron MT18KSF1G72PDZ-1G6 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8 DDR3 1866 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Samsung M393B1G73QH1-V072 8 DDR3L 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Transcend TS1GKR72V1N 8 DDR3 1066 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS1GKR72V3HL 8 DDR3 1333 Registered ECC LP DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS1GKR72V3N 8 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS1GKR72V6H 8 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS1GKR72V6HL 8 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS2GKR72V3H 16 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д н/д да
Transcend TS512MKR72V3N 4 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS512MKR72V6H 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS512MKR72V6HL 4 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 1R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS512MKR72V6N 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д да
Transcend TS512MKR72V6NL 4 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 2R x8 н/д н/д н/д
Transcend TSMTD3LR03-4GL 4 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 1R x8 да н/д да
Transcend TSMTD3LR03-8GL 8 DDR3 1600 Registered ECC LP DIMM 2R x8 да н/д да
Transcend TSMTD3LR05-16G 16 DDR3 1333 Registered ECC FH DIMM 4R x8 н/д н/д ПНС 2020-03-15
Transcend TSMTD3LR08-4G 4 DDR3 1600 Registered ECC FH DIMM 1R x8 да н/д да
  1. Вопреки обозначению „x8“ на сайте производителя, модели марки Goodram с цифрой „4” после буквы «S»/«D»/«Q» имеют ширину шины чипов 4 бита и потому не подходят.

Unbuffered DDR3

Данный тип модулей тестировался только на компьютерах с процессором Эльбрус-4С.

Марка Артикул Объём, ГБ Тип Темп, МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина Эльбрус-1С+ Эльбрус-4С Эльбрус-8С
Crucial CT51272BD160BJ 4 DDR3L 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 1R x8 н/д н/д н/д
Kingston KVR16E11/8 8 DDR3 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8 н/д ПНС 2.14.1.7 н/д
Micron MT9KSF51272AZ-1G6P1ZF 4 DDR3L 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 1R x8 н/д н/д н/д
Transcend TS1GLK64V6H 8 DDR3 1600 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8 н/д н/д н/д

Источники

  • Внутренний баг МЦСТ № 122084
  • Внутренняя вики МЦСТ, статья «Поддерживаемое оборудование»
  • Статья «Эльбрус/hcl/память» в базе знаний AltLinux Team
  • Руководства по эксплуатации компьютеров Эльбрус