Список совместимости/Оперативная память/DDR4: различия между версиями
(→Unbuffered DDR4: Добавлены новые модели Micron, Samsung) |
(→Registered DDR4: Исправлена структура номенклатуры Micron, Samsung) |
||
Строка 114: | Строка 114: | ||
| {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Kingston || KVR21R15D8/8 || 8 || DDR4 || 2133 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8{{row-sep}} | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Kingston || KVR21R15D8/8 || 8 || DDR4 || 2133 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8{{row-sep}} | ||
− | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA18ASF2G72PDZ-2G9 | + | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA18ASF2G72PDZ-2G9 || 16 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{NA}} || {{yes}} || Micron || MTA18ASF2G72PZ-2G9 | + | | {{NA}} || {{NA}} || {{yes}} || Micron || MTA18ASF2G72PZ-2G9 || 16 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes}} || {{yes|3200}} || Micron || MTA18ASF2G72PZ-3G2 | + | | {{NA}} || {{yes}} || {{yes|3200}} || Micron || MTA18ASF2G72PZ-3G2 || 16 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G3 | + | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G3 || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G9 | + | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G9 || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA36ASF8G72PZ-3G2 | + | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Micron || MTA36ASF8G72PZ-3G2 || 64 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{none}} || {{none}} || {{yes|3200}} || Samsung || M386AAG40AM3 | + | | {{none}} || {{none}} || {{yes|3200}} || Samsung || M386AAG40AM3-CWE || 128 || DDR4 || 3200 || Load-reduced || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A1K43DB2 | + | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A1K43DB2-CWE || 8 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A2K40DB3 | + | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A2K40DB3-CWE || 16 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|2600}} || Samsung || M393A4K40CB2 | + | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|2600}} || Samsung || M393A4K40CB2-CVF || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Samsung || M393A2K43CB2 | + | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Samsung || M393A2K43CB2-CTD || 16 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Samsung || M393A4K40BB1 | + | | {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || Samsung || M393A4K40BB1-CRC || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A4K40DB3 | + | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A4K40DB3-CWE || 32 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A4K40EB3 | + | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A4K40EB3-CWE || 32 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
− | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A8G40BB4 | + | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{yes|3200}} || Samsung || M393A8G40BB4-CWE || 64 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}} |
| {{NA}} || {{yes|2400}} || {{NA}} || Transcend || TS424RLD16GL-MTS || 16 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8{{row-sep}} | | {{NA}} || {{yes|2400}} || {{NA}} || Transcend || TS424RLD16GL-MTS || 16 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8{{row-sep}} |
Версия 15:07, 30 июня 2023
Содержание
Область применимости
Все перечисленные процессоры имеют однотипный контроллер памяти и, соответственно, схожие аппаратные возможности. Однако инициализацию контроллера для его сопряжения с установленными модулями памяти выполняет Программа начального старта, реализация которой может различаться для разных процессоров.
Общие требования
При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти:
- количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
- количество слоёв в кристалле — 1 (2D-технология) для Эльбрус-8СВ и R2000, до 8 (3D stacking) для Эльбрус-16С и др.;
- ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: x4, x8, x16);
- ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
- буферизация — без буферизации (unbuffered, UDIMM), регистровая (registered, RDIMM, DDR4R), с пониженной нагрузкой (load-reduced, LR-DIMM — только Эльбрус-16С и др.);
- количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
- суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
- напряжение — обычное (1,2 В);
- форм-фактор — DIMM;
- все модули в компьютере должны быть идентичными.
Параметр \ Модель | Эльбрус-8СВ | 2С3/12С/16С | R2000/R2000+ |
---|---|---|---|
3D-stacking (3DS) | нет | да | нет |
↳ кол-во слоёв | 1 | 8 | 1 |
Load-reduced (LR-DIMM) | нет | да | нет |
Из этого следует, что не поддерживаются модули:
- с многокристальными микросхемами — модули multi-die package не поддерживаются (dual-die, quad-die);
- с многослойными кристаллами — модули 3DS не поддерживаются для Эльбрус-8СВ и R2000;
- без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
- при превышении количества рангов — 2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
- с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются для Эльбрус-8СВ и R2000;
- разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).
Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером на данный момент, — 2400 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать — на фактической частоте контроллера памяти.
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от Программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.
Количество модулей
Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:
Характеристика | Эльбрус-2С3 | Эльбрус-8СВ | Эльбрус-12С | Эльбрус-16С | R2000 | R2000+ |
---|---|---|---|---|---|---|
Количество каналов доступа в память | 2 | 4 | 2 | 8 | 2 | 1 |
Количество заполненных каналов | 2, 1 | 4, 2 | 2, 1 | 8, 4, 2 | 2, 1 | 1 |
Комбинации заполнения каналов | 01 0_ _1 |
0123 01__ |
01 0_ _1 |
см. ниже | 01 0_ _1 |
0 |
Рекомендуемые конфигурации памяти изделий на базе микропроцессора Эльбрус-16С:
- для задействования 1 канала — можно заполнить любой из слотов;
- для задействования 2 каналов — заполнить любой из MC0–MC3 и любой из MC4–MC7;
- для задействования 4 каналов — заполнить по одному слоту в каждой паре {MC0, MC1}, {MC2, MC3}, {MC4, MC5}, {MC6, MC7};
- для задействования 8 каналов — заполнить все слоты.
Все установленные модули должны быть идентичными по характеристикам — во всех заполненных слотах всех каналов всех процессоров. Если имеются вторичные слоты (на каждый канал приходится по 2 слота), то они либо должны остаться пустыми, либо быть заполненными точно так же, как первичные. Если имеется несколько процессоров, то набор модулей памяти у всех них должен быть одинаковым.
На разных моделях материнских плат слоты одних и тех же каналов могут быть расположены по-разному относительно микросхемы процессора. На многопроцессорных платах каждая процессорная микросхема может быть ориентирована по-своему, и расположение слотов соответственно тоже своё. Поэтому установку модулей памяти в случае частичного заполнения слотов необходимо вести в строгом соответствии с обозначениями слотов. Надписи на самой материнской плате могут быть расположены не вплотную к слотам памяти, а там где есть свободное место для достаточно крупного текста: ищите надписи вида «DIMM_0, DIMM_1, …», «MC0, MC1, …», «CPU0: CH0 SLOT0, CH0 SLOT1…» и т. п. Кроме того, обозначение слотов можно выяснить в документации.
Registered DDR4
Данный тип модулей наиболее широко поддерживается компьютерами Эльбрус.
R2000/+ | Э-8СВ | 2С3/16С | Марка | Артикул | Объём, ГБ | Тип | Темп, МТ/с | Буфер | Защита | Высота | Формат | Ранг | Ширина |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
н/д | да | н/д | Crucial | CT32G4RFD4293 | 32 | DDR4 | 2933 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | 2400 | 2600 | Diamond | DM4RD08G08C32 | 8 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x8 |
н/д | 2400 | 2600 | Diamond | DM4RD16G08C32 | 16 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x8 |
н/д | 2400 | 2600 | Diamond | DM4RD32G08C32 | 32 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | да | н/д | Innodisk | M4R0-8GSSBCIK | 8 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | н/д | да | Kingston | KSM24RD4/32MEI | 32 | DDR4 | 2400 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | да | н/д | Kingston | KSM24RD8/16MEI | 16 | DDR4 | 2400 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | ? | н/д | Kingston | KSM26RD4/64MER | 64 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | да | н/д | Kingston | KSM26RS4/16HAI | 16 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x4 |
н/д | да | н/д | Kingston | KSM26RS4/16HDI | 16 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x4 |
н/д | 2400 | 2900 | Kingston | KSM32RS8/8HDR | 8 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x8 |
н/д | да | н/д | Kingston | KVR21R15D8/8 | 8 | DDR4 | 2133 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | да | н/д | Micron | MTA18ASF2G72PDZ-2G9 | 16 | DDR4 | 2933 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | н/д | да | Micron | MTA18ASF2G72PZ-2G9 | 16 | DDR4 | 2933 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x4 |
н/д | да | 3200 | Micron | MTA18ASF2G72PZ-3G2 | 16 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x4 |
н/д | да | н/д | Micron | MTA36ASF4G72PZ-2G3 | 32 | DDR4 | 2400 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | да | н/д | Micron | MTA36ASF4G72PZ-2G9 | 32 | DDR4 | 2933 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | да | н/д | Micron | MTA36ASF8G72PZ-3G2 | 64 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
нет | нет | 3200 | Samsung | M386AAG40AM3-CWE | 128 | DDR4 | 3200 | Load-reduced | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | 2400 | 3200 | Samsung | M393A1K43DB2-CWE | 8 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x8 |
н/д | 2400 | 3200 | Samsung | M393A2K40DB3-CWE | 16 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 1R | x4 |
н/д | 2400 | 2600 | Samsung | M393A4K40CB2-CVF | 32 | DDR4 | 2933 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | да | н/д | Samsung | M393A2K43CB2-CTD | 16 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | да | н/д | Samsung | M393A4K40BB1-CRC | 32 | DDR4 | 2400 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | 2400 | 3200 | Samsung | M393A4K40DB3-CWE | 32 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | 2400 | 3200 | Samsung | M393A4K40EB3-CWE | 32 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | 2400 | 3200 | Samsung | M393A8G40BB4-CWE | 64 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x4 |
н/д | 2400 | н/д | Transcend | TS424RLD16GL-MTS | 16 | DDR4 | 2400 | Registered | ECC | LP | DIMM | 2R | x8 |
н/д | 2100 | 2100 | Transcend | TS426RLD8GL-MTS | 8 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | LP | DIMM | 2R | x8 |
н/д | да | н/д | Transcend | TS426RLD16GL-MTS | 16 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | LP | DIMM | 2R | x8 |
н/д | да | н/д | Transcend | TS432RLD32GL-MTS | 32 | DDR4 | 3200 | Registered | ECC | LP | DIMM | 2R | x8 |
Unbuffered DDR4
Данный тип модулей используется преимущественно в персональных компьютерах с низкими требованиями к объёму памяти.
R2000/+ | Э-8СВ | 2С3/16С | Марка | Артикул | Объём, ГБ | Тип | Темп, МТ/с | Буфер | Защита | Высота | Формат | Ранг | Ширина |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
н/д | н/д | 2900 | Foxline | FL3200D4ES22-8G | 8 | DDR4 | 2666 | Unbuffered | ECC | FH | SO-DIMM | 1R | x8 |
н/д | н/д | 2900 | Foxline | FL3200D4ES22-16G | 16 | DDR4 | 2666 | Unbuffered | ECC | FH | SO-DIMM | 2R | x8 |
н/д | да | н/д | Kingston | KSM29ED8/16HD | 16 | DDR4 | 2933 | Unbuffered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | н/д | 2900 | Kingston | KSM32SED8/32MF | 32 | DDR4 | 3200 | Unbuffered | ECC | FH | SO-DIMM | 2R | x8 |
н/д | н/д | да | Kingston | KVR21SE15S8/4 | 4 | DDR4 | 2133 | Unbuffered | ECC | FH | SO-DIMM | 1R | x8 |
н/д | н/д | 3200 | Micron | MTA9ASF1G72HZ-3G2R1… | 8 | DDR4 | 3200 | Unbuffered | ECC | FH | SO-DIMM | 1R | x8 |
н/д | да | н/д | Samsung | M391A2K43BB1-CTDQ | 16 | DDR4 | 2666 | Unbuffered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 |
н/д | н/д | 3200 | Samsung | M474A1K43DB1-CWE | 8 | DDR4 | 3200 | Unbuffered | ECC | FH | SO-DIMM | 1R | x8 |
н/д | да | н/д | Transcend | TS426ELD8G-MTS | 8 | DDR4 | 2666 | Unbuffered | ECC | FH | DIMM | н/д | н/д |
Источники
- Внутренний баг МЦСТ № 122084
- Внутренняя вики МЦСТ, статья «Поддерживаемое оборудование»
- Руководства по эксплуатации компьютеров Эльбрус