Список совместимости/Оперативная память/DDR4: различия между версиями
м (Антон Самсонов переименовал страницу HCL/RAM/DDR4 в Список совместимости/Оперативная память/DDR4: Канонизация заголовка) |
(→Общие требования: Добавление новых ограничений — многокристальные чипы, многослойные кристаллы, многослотовые каналы) |
||
Строка 14: | Строка 14: | ||
При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти: | При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти: | ||
+ | * количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package); | ||
+ | * количество слоёв в кристалле — 1 (классическая '''2D'''-технология); | ||
* ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: '''x4''', '''x8''', '''x16'''); | * ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: '''x4''', '''x8''', '''x16'''); | ||
* ширина шины данных всего модуля — 72 бит ('''[[ECC]]'''); | * ширина шины данных всего модуля — 72 бит ('''[[ECC]]'''); | ||
* буферизация — регистровая ('''registered''', '''R'''DIMM, DDR4'''R''') или без буферизации ('''unbuffered''', '''U'''DIMM); | * буферизация — регистровая ('''registered''', '''R'''DIMM, DDR4'''R''') или без буферизации ('''unbuffered''', '''U'''DIMM); | ||
* количество рангов в модуле — 1, 2, 4; | * количество рангов в модуле — 1, 2, 4; | ||
+ | * суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал); | ||
* напряжение — обычное (1,2 В); | * напряжение — обычное (1,2 В); | ||
* форм-фактор — DIMM; | * форм-фактор — DIMM; | ||
Строка 24: | Строка 27: | ||
Из этого следует, что '''не''' поддерживаются модули: | Из этого следует, что '''не''' поддерживаются модули: | ||
+ | * с многокристальными микросхемами — '''модули multi-die package не поддерживаются''' (dual-die, quad-die); | ||
+ | * с многослойными кристаллами — '''модули 3DS не поддерживаются''' (3D stacking); | ||
* без коррекции ошибок (ECC) — '''модули x64 не поддерживаются'''; | * без коррекции ошибок (ECC) — '''модули x64 не поддерживаются'''; | ||
+ | * при превышении количества рангов — '''2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются''' (актуально, когда на каждом канале по 2 слота); | ||
* с пониженной нагрузкой (load-reduced) — '''модули LR-DIMM не поддерживаются'''; | * с пониженной нагрузкой (load-reduced) — '''модули LR-DIMM не поддерживаются'''; | ||
* разнородные — '''смешивать разные модули нельзя''' (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине). | * разнородные — '''смешивать разные модули нельзя''' (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине). |
Версия 17:11, 5 ноября 2020
Содержание
Область применимости
Все перечисленные процессоры имеют однотипный контроллер памяти и, соответственно, схожие аппаратные возможности. Однако инициализацию контроллера для его сопряжения с установленными модулями памяти выполняет Программа начального старта, реализация которой может различаться для разных процессоров.
Общие требования
При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти:
- количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
- количество слоёв в кристалле — 1 (классическая 2D-технология);
- ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: x4, x8, x16);
- ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
- буферизация — регистровая (registered, RDIMM, DDR4R) или без буферизации (unbuffered, UDIMM);
- количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
- суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
- напряжение — обычное (1,2 В);
- форм-фактор — DIMM;
- все модули в компьютере должны быть идентичными.
Из этого следует, что не поддерживаются модули:
- с многокристальными микросхемами — модули multi-die package не поддерживаются (dual-die, quad-die);
- с многослойными кристаллами — модули 3DS не поддерживаются (3D stacking);
- без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
- при превышении количества рангов — 2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
- с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются;
- разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).
Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером на данный момент, — 2400 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать — на фактической частоте контроллера памяти.
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от Программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.
Registered DDR4
Данный тип модулей наиболее широко поддерживается компьютерами Эльбрус.
Марка | Артикул | Объём, ГБ | Тип | Темп, МТ/с | Буфер | Защита | Высота | Формат | Ранг | Ширина | Эльбрус-8СВ | 2С3/12С/16С | R2000/R2000+ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Innodisk | M4R0-8GSSBCIK | 8 | DDR4 | 2666 | Registered | ECC | FH | DIMM | 2R | x8 | да | н/д | н/д |
Transcend | TS424RLD16GL-MTS | 16 | DDR4 | 2400 | Registered | ECC | LP | DIMM | н/д | н/д | да | н/д | н/д |
Unbuffered DDR4
Данный тип модулей используется преимущественно в персональных компьютерах с низкими требованиями к объёму памяти.
Марка | Артикул | Объём, ГБ | Тип | Темп, МТ/с | Буфер | Защита | Высота | Формат | Ранг | Ширина | Эльбрус-8СВ | 2С3/12С/16С | R2000/R2000+ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Transcend | TS426ELD8G-MTS | 8 | DDR4 | 2666 | Unbuffered | ECC | FH | DIMM | н/д | н/д | да | н/д | н/д |
Источники
- Внутренний баг МЦСТ № 122084
- Внутренняя вики МЦСТ, статья «Поддерживаемое оборудование»
- Руководства по эксплуатации компьютеров Эльбрус