Список совместимости/Оперативная память/DDR4: различия между версиями

Материал из Базы знаний сообщества разработчиков Эльбрус
Перейти к навигации Перейти к поиску
(→‎Unbuffered DDR4: Исправлены номинальные частоты модулей Foxline)
м (→‎Общие требования: Добавление форм-фактора SO-DIMM)
 
(не показаны 2 промежуточные версии этого же участника)
Строка 17: Строка 17:
 
* количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
 
* количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
 
* количество слоёв в кристалле — 1 ('''2D'''-технология) ''для Эльбрус-8СВ и R2000'', до 8 ('''3D stacking''') ''для Эльбрус-16С и др.'';
 
* количество слоёв в кристалле — 1 ('''2D'''-технология) ''для Эльбрус-8СВ и R2000'', до 8 ('''3D stacking''') ''для Эльбрус-16С и др.'';
−
* ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: '''x4''', '''x8''', '''x16''');
+
* ширина шины данных:
−
* ширина шины данных всего модуля — 72 бит ('''[[ECC]]''');
+
** одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: '''x4''', '''x8''', '''x16''');
−
* буферизация — без буферизации ('''unbuffered''', '''U'''DIMM), регистровая ('''registered''', '''R'''DIMM, DDR4'''R'''), с пониженной нагрузкой ('''load-reduced''', '''LR'''-DIMM — только ''Эльбрус-16С и др.'');
+
** всего модуля — 72 бит ('''[[ECC]]''');
−
* количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
+
* буферизация:
−
* суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
+
** без буферизации ('''unbuffered''', '''U'''DIMM) — только для 1-процессорных систем,
 +
** регистровая ('''registered''', '''R'''DIMM, DDR4'''R'''),
 +
** с пониженной нагрузкой ('''load-reduced''', '''LR'''-DIMM — только ''Эльбрус-16С и др.'');
 +
* количество рангов:
 +
** в модуле памяти — 1, 2, 4;
 +
** суммарно в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
 
* напряжение — обычное (1,2 В);
 
* напряжение — обычное (1,2 В);
−
* форм-фактор — DIMM;
+
* форм-фактор — DIMM, SO-DIMM;
 
* все модули в компьютере должны быть идентичными.
 
* все модули в компьютере должны быть идентичными.
  
Строка 44: Строка 49:
 
* с многослойными кристаллами — '''модули 3DS не поддерживаются''' ''для Эльбрус-8СВ и R2000'';
 
* с многослойными кристаллами — '''модули 3DS не поддерживаются''' ''для Эльбрус-8СВ и R2000'';
 
* без коррекции ошибок (ECC) — '''модули x64 не поддерживаются''';
 
* без коррекции ошибок (ECC) — '''модули x64 не поддерживаются''';
 +
* без буферизации (unbuffered) в многопроцессорных системах — '''модули UDIMM — только для однопроцессорных систем''';
 
* при превышении количества рангов — '''2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются''' (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
 
* при превышении количества рангов — '''2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются''' (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
 
* с пониженной нагрузкой (load-reduced) — '''модули LR-DIMM не поддерживаются''' ''для Эльбрус-8СВ и R2000'';
 
* с пониженной нагрузкой (load-reduced) — '''модули LR-DIMM не поддерживаются''' ''для Эльбрус-8СВ и R2000'';
Строка 122: Строка 128:
 
| Micron    || MTA36ASF4G72PZ-2G3  || {{yes}}      || {{NA}}      || {{NA}}      || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}}
 
| Micron    || MTA36ASF4G72PZ-2G3  || {{yes}}      || {{NA}}      || {{NA}}      || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}}
 
| Micron    || MTA36ASF4G72PZ-2G9  || {{yes}}      || {{NA}}      || {{NA}}      || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}}
 
| Micron    || MTA36ASF4G72PZ-2G9  || {{yes}}      || {{NA}}      || {{NA}}      || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}}
 +
| Micron    || MTA36ASF4G72PZ-3G2  || {{NA}}      || {{yes}}      || {{NA}}      || 32 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}}
 
| Micron    || MTA36ASF8G72PZ-3G2  || {{yes}}      || {{NA}}      || {{NA}}      || 64 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}}
 
| Micron    || MTA36ASF8G72PZ-3G2  || {{yes}}      || {{NA}}      || {{NA}}      || 64 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4{{row-sep}}
  

Текущая версия на 17:59, 25 сентября 2024

Короткий адрес этой страницы: HCL/RAM/DDR4
Любые сведения о совместимости аппаратного и/или программного обеспечения не являются официальными заявлениями, если не сопровождаются ссылкой на официально утверждённый протокол тестирования. Аппаратное или программное обеспечение, упоминаемое без сведений о совместимости с каким-либо конкретным типом компьютера (процессора, контроллера периферии), следует считать лишь потенциально совместимым.

Область применимости

Все перечисленные процессоры имеют однотипный контроллер памяти и, соответственно, схожие аппаратные возможности. Однако инициализацию контроллера для его сопряжения с установленными модулями памяти выполняет Программа начального старта, реализация которой может различаться для разных процессоров.

Общие требования

При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти:

  • количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
  • количество слоёв в кристалле — 1 (2D-технология) для Эльбрус-8СВ и R2000, до 8 (3D stacking) для Эльбрус-16С и др.;
  • ширина шины данных:
    • одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: x4, x8, x16);
    • всего модуля — 72 бит (ECC);
  • буферизация:
    • без буферизации (unbuffered, UDIMM) — только для 1-процессорных систем,
    • регистровая (registered, RDIMM, DDR4R),
    • с пониженной нагрузкой (load-reduced, LR-DIMM — только Эльбрус-16С и др.);
  • количество рангов:
    • в модуле памяти — 1, 2, 4;
    • суммарно в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
  • напряжение — обычное (1,2 В);
  • форм-фактор — DIMM, SO-DIMM;
  • все модули в компьютере должны быть идентичными.
Сводка различий между моделями
Параметр \ Модель Эльбрус-8СВ 2С3/12С/16С R2000/R2000+
3D-stacking (3DS) нет да нет
  ↳ кол-во слоёв 1 8 1
Load-reduced (LR-DIMM) нет да нет

Из этого следует, что не поддерживаются модули:

  • с многокристальными микросхемами — модули multi-die package не поддерживаются (dual-die, quad-die);
  • с многослойными кристаллами — модули 3DS не поддерживаются для Эльбрус-8СВ и R2000;
  • без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
  • без буферизации (unbuffered) в многопроцессорных системах — модули UDIMM — только для однопроцессорных систем;
  • при превышении количества рангов — 2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
  • с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются для Эльбрус-8СВ и R2000;
  • разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).

Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от Программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.

Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной (максимальной), поддерживаемой центральным процессором. Фактическая частота, на которой способен исправно функционировать тот или иной модуль памяти в конкретном компьютере, может быть ниже номинальной частоты модуля и ниже номинальной частоты контроллера памяти.

Фактические рабочие частоты модулей, приведённые в таблицах ниже, относятся к конфигурациям с 1 слотом на канал (1DPC). При использовании 2 слотов на канал (2DPC) может требоваться существенное снижение тактовой частоты контроллера памяти.

Количество модулей

Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:

Характеристика Эльбрус-2С3 Эльбрус-8СВ Эльбрус-12С Эльбрус-16С R2000 R2000+
Количество каналов доступа в память 2 4 2 8 2 1
Количество заполненных каналов 2, 1 4, 2 2, 1 8, 4, 2 2, 1 1
Комбинации заполнения каналов 01
0_
_1 		0123
01__ 		01
0_
_1 		см. ниже 01
0_
_1 		0

Рекомендуемые конфигурации памяти изделий на базе микропроцессора Эльбрус-16С:

  • для задействования 1 канала — можно заполнить любой из слотов;
  • для задействования 2 каналов — заполнить любой из MC0–MC3 и любой из MC4–MC7;
  • для задействования 4 каналов — заполнить по одному слоту в каждой паре {MC0, MC1}, {MC2, MC3}, {MC4, MC5}, {MC6, MC7};
  • для задействования 8 каналов — заполнить все слоты.

Все установленные модули должны быть идентичными по характеристикам — во всех заполненных слотах всех каналов всех процессоров. Если имеются вторичные слоты (на каждый канал приходится по 2 слота), то они либо должны остаться пустыми, либо быть заполненными точно так же, как первичные. Если имеется несколько процессоров, то набор модулей памяти у всех них должен быть одинаковым.

На разных моделях материнских плат слоты одних и тех же каналов могут быть расположены по-разному относительно микросхемы процессора. На многопроцессорных платах каждая процессорная микросхема может быть ориентирована по-своему, и расположение слотов соответственно тоже своё. Поэтому установку модулей памяти в случае частичного заполнения слотов необходимо вести в строгом соответствии с обозначениями слотов. Надписи на самой материнской плате могут быть расположены не вплотную к слотам памяти, а там где есть свободное место для достаточно крупного текста: ищите надписи вида «DIMM_0, DIMM_1, …», «MC0, MC1, …», «CPU0: CH0 SLOT0, CH0 SLOT1…» и т. п. Кроме того, обозначение слотов можно выяснить в документации.

Registered DDR4

Данный тип модулей наиболее широко поддерживается компьютерами Эльбрус.

Марка Артикул Э-8СВ 2С3/16С R2000/+ ГБ Тип МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина
Crucial CT32G4RFD4293 да н/д н/д 32 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Diamond DM4RD08G08C32 2400 2600 н/д 8 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Diamond DM4RD16G08C32 2400 2600 н/д 16 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Diamond DM4RD32G08C32 2400 2600 н/д 32 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Innodisk M4R0-8GSSBCIK да н/д н/д 8 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KSM24RD4/32MEI н/д да н/д 32 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Kingston KSM24RD8/16MEI да н/д н/д 16 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KSM26RD4/64MER ? н/д н/д 64 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Kingston KSM26RS4/16HAI да н/д н/д 16 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 1R x4
Kingston KSM26RS4/16HDI да н/д н/д 16 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 1R x4
Kingston KSM32RS8/8HDR 2400 2900 н/д 8 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Kingston KVR21R15D8/8 да н/д н/д 8 DDR4 2133 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9 да н/д н/д 16 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9 н/д да н/д 16 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 1R x4
Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2 да 3200 н/д 16 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x4
Micron MTA36ASF4G72PZ-2G3 да н/д н/д 32 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9 да н/д н/д 32 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Micron MTA36ASF4G72PZ-3G2 н/д да н/д 32 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Micron MTA36ASF8G72PZ-3G2 да н/д н/д 64 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Samsung M386AAG40AM3-CWE нет 3200 нет 128 DDR4 3200 Load-reduced ECC FH DIMM 2R x4
Samsung M393A1K43DB2-CWE 2400 3200 н/д 8 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x8
Samsung M393A2K40DB3-CWE 2400 3200 н/д 16 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x4
Samsung M393A4K40CB2-CVF 2400 2600 н/д 32 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Samsung M393A2K43CB2-CTD да н/д н/д 16 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 2R x8
Samsung M393A4K40BB1-CRC да н/д н/д 32 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Samsung M393A4K40DB3-CWE 2400 3200 н/д 32 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Samsung M393A4K40EB3-CWE 2400 3200 н/д 32 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Samsung M393A8G40BB4-CWE 2400 3200 н/д 64 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4
Transcend TS424RLD16GL-MTS 2400 н/д н/д 16 DDR4 2400 Registered ECC LP DIMM 2R x8
Transcend TS426RLD8GL-MTS 2100 2100 н/д 8 DDR4 2666 Registered ECC LP DIMM 2R x8
Transcend TS426RLD16GL-MTS да н/д н/д 16 DDR4 2666 Registered ECC LP DIMM 2R x8
Transcend TS432RLD32GL-MTS да н/д н/д 32 DDR4 3200 Registered ECC LP DIMM 2R x8

Unbuffered DDR4

Данный тип модулей используется преимущественно в персональных компьютерах с низкими требованиями к объёму памяти.

Марка Артикул Э-8СВ 2С3/16С R2000/+ ГБ Тип МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина
Foxline FL3200D4ES22-8G н/д 2900 н/д 8 DDR4 3200 Unbuffered ECC FH SO-DIMM 1R x8
Foxline FL3200D4ES22-16G н/д 2900 н/д 16 DDR4 3200 Unbuffered ECC FH SO-DIMM 2R x8
Kingston KSM29ED8/16HD да н/д н/д 16 DDR4 2933 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8
Kingston KSM32SED8/32MF н/д 2900 н/д 32 DDR4 3200 Unbuffered ECC FH SO-DIMM 2R x8
Kingston KVR21SE15S8/4 н/д да н/д 4 DDR4 2133 Unbuffered ECC FH SO-DIMM 1R x8
Micron MTA9ASF1G72HZ-3G2 н/д 3200 н/д 8 DDR4 3200 Unbuffered ECC FH SO-DIMM 1R x8
Samsung M391A2K43BB1-CTD да н/д н/д 16 DDR4 2666 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8
Samsung M474A1K43DB1-CWE н/д 3200 н/д 8 DDR4 3200 Unbuffered ECC FH SO-DIMM 1R x8
Transcend TS426ELD8G-MTS да н/д н/д 8 DDR4 2666 Unbuffered ECC FH DIMM н/д н/д

Источники

  • Внутренний баг МЦСТ № 122084
  • Внутренняя вики МЦСТ, статья «Поддерживаемое оборудование»
  • Руководства по эксплуатации компьютеров Эльбрус
Источник — https://wiki.elbrus.ru/index.php?title=Список_совместимости/Оперативная_память/DDR4&oldid=590