Список совместимости/Оперативная память/DDR4: различия между версиями

Материал из Базы знаний сообщества разработчиков Эльбрус
Перейти к навигации Перейти к поиску
(Добавлены новые модели, уход от шаблона строк, добавление шаблона шапки)
(→‎Registered DDR4: Добавление моделей Diamond DM4RD16G08C32 и DM4RD32G08C32)
(не показано 17 промежуточных версий этого же участника)
Строка 19: Строка 19:
 
* ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: '''x4''', '''x8''', '''x16''');
 
* ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: '''x4''', '''x8''', '''x16''');
 
* ширина шины данных всего модуля — 72 бит ('''[[ECC]]''');
 
* ширина шины данных всего модуля — 72 бит ('''[[ECC]]''');
* буферизация — регистровая ('''registered''', '''R'''DIMM, DDR4'''R''') или без буферизации ('''unbuffered''', '''U'''DIMM);
+
* буферизация — без буферизации ('''unbuffered''', '''U'''DIMM), регистровая ('''registered''', '''R'''DIMM, DDR4'''R'''), с пониженной нагрузкой ('''load-reduced''', '''LR'''-DIMM — только ''Эльбрус-16С и др.'');
 
* количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
 
* количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
 
* суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
 
* суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
Строка 25: Строка 25:
 
* форм-фактор — DIMM;
 
* форм-фактор — DIMM;
 
* все модули в компьютере должны быть идентичными.
 
* все модули в компьютере должны быть идентичными.
 +
 +
{| class="wikitable"
 +
|+ Сводка различий между моделями
 +
|-
 +
! scope="col" | Параметр \ Модель
 +
! scope="col" | Эльбрус-8СВ
 +
! scope="col" | 2С3/12С/16С
 +
! scope="col" | R2000/R2000+
 +
|-
 +
| 3D-stacking (3DS) || {{no}} || {{yes}} || {{no}}{{row-sep}}
 +
|   ↳ кол-во слоёв || {{no|1}} || {{yes|8}} || {{no|1}}{{row-sep}}
 +
| Load-reduced (LR-DIMM) || {{no}} || {{yes}} || {{no}}{{row-sep}}
 +
|}
  
 
Из этого следует, что '''не''' поддерживаются модули:
 
Из этого следует, что '''не''' поддерживаются модули:
Строка 32: Строка 45:
 
* без коррекции ошибок (ECC) — '''модули x64 не поддерживаются''';
 
* без коррекции ошибок (ECC) — '''модули x64 не поддерживаются''';
 
* при превышении количества рангов — '''2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются''' (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
 
* при превышении количества рангов — '''2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются''' (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
* с пониженной нагрузкой (load-reduced) — '''модули LR-DIMM не поддерживаются''';
+
* с пониженной нагрузкой (load-reduced) — '''модули LR-DIMM не поддерживаются''' ''для Эльбрус-8СВ и R2000'';
 
* разнородные — '''смешивать разные модули нельзя''' (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).
 
* разнородные — '''смешивать разные модули нельзя''' (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).
  
Строка 38: Строка 51:
  
 
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от [[ПНС |Программы начального старта]] — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.
 
Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от [[ПНС |Программы начального старта]] — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.
 +
 +
== Количество модулей ==
 +
 +
Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:
 +
 +
{| class="wikitable"
 +
|-
 +
! scope="col" | Характеристика
 +
! scope="col" | Эльбрус-2С3
 +
! scope="col" | Эльбрус-8СВ
 +
! scope="col" | Эльбрус-12С
 +
! scope="col" | Эльбрус-16С
 +
! scope="col" | R2000
 +
! scope="col" | R2000+
 +
|-
 +
| Количество каналов доступа в память || 2    || 4    || 2    || 8      || 2    || 1{{row-sep}}
 +
| Количество заполненных каналов      || 2, 1 || 4, 2 || 2, 1 || 8, 4, 2 || 2, 1 || 1{{row-sep}}
 +
| Комбинации заполнения каналов
 +
| 01<br/>0_<br/>_1
 +
| 0123<br/>01__
 +
| 01<br/>0_<br/>_1
 +
| см. ниже
 +
| 01<br/>0_<br/>_1
 +
| 0{{row-sep}}
 +
|}
 +
 +
Рекомендуемые конфигурации памяти изделий на базе микропроцессора Эльбрус-16С:
 +
 +
* для задействования 1 канала — можно заполнить любой из слотов;
 +
* для задействования 2 каналов — заполнить любой из MC0–MC3 и любой из MC4–MC7;
 +
* для задействования 4 каналов — заполнить по одному слоту в каждой паре {MC0, MC1}, {MC2, MC3}, {MC4, MC5}, {MC6, MC7};
 +
* для задействования 8 каналов — заполнить все слоты.
 +
 +
{{HCL-RAM-SlotsNotice}}
  
 
== Registered DDR4 ==
 
== Registered DDR4 ==
Строка 51: Строка 98:
 
|-
 
|-
 
| Crucial || {{hint|CT32G4RFD4293|Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9…}} || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
| Crucial || {{hint|CT32G4RFD4293|Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9…}} || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Innodisk || M4R0-8GSSBCIK || 8 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
+
| Diamond  || DM4RD08G08C32  ||  8 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KSM24RD8/16MEI || 16 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
+
| Diamond  || DM4RD16G08C32  || 16 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x8 || {{yes}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KSM26RS4/16HAI || 16 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
+
| Diamond  || DM4RD32G08C32  || 32 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Kingston || KVR21R15D8/8  ||  8 || DDR4 || 2133 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
+
| Innodisk || M4R0-8GSSBCIK || 8 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}}  || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Kingston || KSM24RD4/32MEI || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{NA}}  || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Kingston || KSM24RD8/16MEI || 16 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}}  || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Kingston || KSM26RD4/64MER || 64 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{NA|?}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Kingston || KSM26RS4/16HAI || 16 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Kingston || KSM26RS4/16HDI || 16 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4 || {{yes}} || {{NA}}  || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Kingston || KVR21R15D8/8  ||  8 || DDR4 || 2133 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}}  || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Micron || MTA18ASF2G72PDZ-2G9{{minor|J3…}} || 16 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Micron || MTA18ASF2G72PZ-2G9{{minor|E1…}}  || 16 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4 || {{NA}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Micron || MTA18ASF2G72PZ-3G2{{minor|R1…}}  || 16 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 1R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
| Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G3{{minor|B1RG}} || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
| Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G3{{minor|B1RG}} || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G9{{minor|J3…}}   || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
+
| Micron || MTA36ASF4G72PZ-2G9{{minor|J3…}} || 32 || DDR4 || 2933 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Samsung || M393A4K40BB1{{minor|-CRC0Q}} || 32 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
+
| Micron || MTA36ASF8G72PZ-3G2{{minor|E1UI}} || 64 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
| Transcend || TS424RLD16GL-MTS || 16 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || LP || DIMM || {{NA}} || {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
+
| Samsung || M393A2K43CB2{{minor|-CTD7Y}} ||  16 || DDR4 || 2666 || Registered  || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}}  || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Samsung || M393A4K40BB1{{minor|-CRC0Q}} || 32 || DDR4 || 2400 || Registered   || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Samsung || M393A4K40DB3{{minor|-CWE}}  ||  32 || DDR4 || 3200 || Registered  || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Samsung || M393A4K40EB3{{minor|-CWE}}  ||  32 || DDR4 || 3200 || Registered  || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Samsung || M393A8G40BB4{{minor|-CWE}}  ||  64 || DDR4 || 3200 || Registered  || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{yes}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Samsung || M386AAG40AM3{{minor|-CWE}}  || 128 || DDR4 || 3200 || Load-reduced || ECC || FH || DIMM || 2R || x4 || {{none}}|| {{yes}} || {{none}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TS424RLD16GL-MTS || 16 || DDR4 || 2400 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TS426RLD8GL-MTS  ||  8 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{yes}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TS426RLD16GL-MTS || 16 || DDR4 || 2666 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 +
| Transcend || TS432RLD32GL-MTS || 32 || DDR4 || 3200 || Registered || ECC || LP || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
|}
 
|}
  
Строка 72: Строка 137:
 
! scope="col" | R2000/R2000+
 
! scope="col" | R2000/R2000+
 
|-
 
|-
 +
| Kingston || KSM29ED8/16HD || 16 || DDR4 || 2933 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
| Samsung || M391A2K43BB1{{minor|-CTDQ}} || 16 || DDR4 || 2666 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
| Samsung || M391A2K43BB1{{minor|-CTDQ}} || 16 || DDR4 || 2666 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || 2R || x8 || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
| Transcend || TS426ELD8G-MTS || 8 || DDR4 || 2666 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || {{NA}} || {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}
 
| Transcend || TS426ELD8G-MTS || 8 || DDR4 || 2666 || Unbuffered || ECC || FH || DIMM || {{NA}} || {{NA}} || {{yes}} || {{NA}} || {{NA}}{{row-sep}}

Версия 15:16, 25 августа 2022

Короткий адрес этой страницы: HCL/RAM/DDR4
Любые сведения о совместимости аппаратного и/или программного обеспечения не являются официальными заявлениями, если не сопровождаются ссылкой на официально утверждённый протокол тестирования. Аппаратное или программное обеспечение, упоминаемое без сведений о совместимости с каким-либо конкретным типом компьютера (процессора, контроллера периферии), следует считать лишь потенциально совместимым.

Область применимости

Все перечисленные процессоры имеют однотипный контроллер памяти и, соответственно, схожие аппаратные возможности. Однако инициализацию контроллера для его сопряжения с установленными модулями памяти выполняет Программа начального старта, реализация которой может различаться для разных процессоров.

Общие требования

При самостоятельном выборе следует учитывать основные требования, предъявляемые встроенным контроллером памяти:

  • количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
  • количество слоёв в кристалле — 1 (2D-технология) для Эльбрус-8СВ и R2000, до 8 (3D stacking) для Эльбрус-16С и др.;
  • ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: x4, x8, x16);
  • ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
  • буферизация — без буферизации (unbuffered, UDIMM), регистровая (registered, RDIMM, DDR4R), с пониженной нагрузкой (load-reduced, LR-DIMM — только Эльбрус-16С и др.);
  • количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
  • суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
  • напряжение — обычное (1,2 В);
  • форм-фактор — DIMM;
  • все модули в компьютере должны быть идентичными.
Сводка различий между моделями
Параметр \ Модель Эльбрус-8СВ 2С3/12С/16С R2000/R2000+
3D-stacking (3DS) нет да нет
  ↳ кол-во слоёв 1 8 1
Load-reduced (LR-DIMM) нет да нет

Из этого следует, что не поддерживаются модули:

  • с многокристальными микросхемами — модули multi-die package не поддерживаются (dual-die, quad-die);
  • с многослойными кристаллами — модули 3DS не поддерживаются для Эльбрус-8СВ и R2000;
  • без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
  • при превышении количества рангов — 2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
  • с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются для Эльбрус-8СВ и R2000;
  • разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине).

Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером на данный момент, — 2400 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать — на фактической частоте контроллера памяти.

Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от Программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.

Количество модулей

Совместимые модули памяти должны устанавливаться в количестве не менее минимального, поддерживаемого контроллером памяти процессора:

Характеристика Эльбрус-2С3 Эльбрус-8СВ Эльбрус-12С Эльбрус-16С R2000 R2000+
Количество каналов доступа в память 2 4 2 8 2 1
Количество заполненных каналов 2, 1 4, 2 2, 1 8, 4, 2 2, 1 1
Комбинации заполнения каналов 01
0_
_1
0123
01__
01
0_
_1
см. ниже 01
0_
_1
0

Рекомендуемые конфигурации памяти изделий на базе микропроцессора Эльбрус-16С:

  • для задействования 1 канала — можно заполнить любой из слотов;
  • для задействования 2 каналов — заполнить любой из MC0–MC3 и любой из MC4–MC7;
  • для задействования 4 каналов — заполнить по одному слоту в каждой паре {MC0, MC1}, {MC2, MC3}, {MC4, MC5}, {MC6, MC7};
  • для задействования 8 каналов — заполнить все слоты.

Все установленные модули должны быть идентичными по характеристикам — во всех заполненных слотах всех каналов всех процессоров. Если имеются вторичные слоты (на каждый канал приходится по 2 слота), то они либо должны остаться пустыми, либо быть заполненными точно так же, как первичные. Если имеется несколько процессоров, то набор модулей памяти у всех них должен быть одинаковым.

На разных моделях материнских плат слоты одних и тех же каналов могут быть расположены по-разному относительно микросхемы процессора. На многопроцессорных платах каждая процессорная микросхема может быть ориентирована по-своему, и расположение слотов соответственно тоже своё. Поэтому установку модулей памяти в случае частичного заполнения слотов необходимо вести в строгом соответствии с обозначениями слотов. Надписи на самой материнской плате могут быть расположены не вплотную к слотам памяти, а там где есть свободное место для достаточно крупного текста: ищите надписи вида «DIMM_0, DIMM_1, …», «MC0, MC1, …», «CPU0: CH0 SLOT0, CH0 SLOT1…» и т. п. Кроме того, обозначение слотов можно выяснить в документации.

Registered DDR4

Данный тип модулей наиболее широко поддерживается компьютерами Эльбрус.

Марка Артикул Объём, ГБ Тип Темп, МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина Эльбрус-8СВ 2С3/12С/16С R2000/R2000+
Crucial CT32G4RFD4293 32 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да н/д н/д
Diamond DM4RD08G08C32 8 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x8 да да н/д
Diamond DM4RD16G08C32 16 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x8 да да н/д
Diamond DM4RD32G08C32 32 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да да н/д
Innodisk M4R0-8GSSBCIK 8 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Kingston KSM24RD4/32MEI 32 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x4 н/д да н/д
Kingston KSM24RD8/16MEI 16 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Kingston KSM26RD4/64MER 64 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 2R x4 ? н/д н/д
Kingston KSM26RS4/16HAI 16 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 1R x4 да н/д н/д
Kingston KSM26RS4/16HDI 16 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 1R x4 да н/д н/д
Kingston KVR21R15D8/8 8 DDR4 2133 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9J3… 16 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9E1… 16 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 1R x4 н/д да н/д
Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2R1… 16 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 1R x4 да н/д н/д
Micron MTA36ASF4G72PZ-2G3B1RG 32 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да н/д н/д
Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9J3… 32 DDR4 2933 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да н/д н/д
Micron MTA36ASF8G72PZ-3G2E1UI 64 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да н/д н/д
Samsung M393A2K43CB2-CTD7Y 16 DDR4 2666 Registered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Samsung M393A4K40BB1-CRC0Q 32 DDR4 2400 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да н/д н/д
Samsung M393A4K40DB3-CWE 32 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да да н/д
Samsung M393A4K40EB3-CWE 32 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да да н/д
Samsung M393A8G40BB4-CWE 64 DDR4 3200 Registered ECC FH DIMM 2R x4 да да н/д
Samsung M386AAG40AM3-CWE 128 DDR4 3200 Load-reduced ECC FH DIMM 2R x4 нет да нет
Transcend TS424RLD16GL-MTS 16 DDR4 2400 Registered ECC LP DIMM 2R x8 да н/д н/д
Transcend TS426RLD8GL-MTS 8 DDR4 2666 Registered ECC LP DIMM 2R x8 да да н/д
Transcend TS426RLD16GL-MTS 16 DDR4 2666 Registered ECC LP DIMM 2R x8 да н/д н/д
Transcend TS432RLD32GL-MTS 32 DDR4 3200 Registered ECC LP DIMM 2R x8 да н/д н/д

Unbuffered DDR4

Данный тип модулей используется преимущественно в персональных компьютерах с низкими требованиями к объёму памяти.

Марка Артикул Объём, ГБ Тип Темп, МТ/с Буфер Защита Высота Формат Ранг Ширина Эльбрус-8СВ 2С3/12С/16С R2000/R2000+
Kingston KSM29ED8/16HD 16 DDR4 2933 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Samsung M391A2K43BB1-CTDQ 16 DDR4 2666 Unbuffered ECC FH DIMM 2R x8 да н/д н/д
Transcend TS426ELD8G-MTS 8 DDR4 2666 Unbuffered ECC FH DIMM н/д н/д да н/д н/д

Источники

  • Внутренний баг МЦСТ № 122084
  • Внутренняя вики МЦСТ, статья «Поддерживаемое оборудование»
  • Руководства по эксплуатации компьютеров Эльбрус